তপন স্যার — পদার্থবিজ্ঞান প্রশ্ন ও সমাধান

তপন স্যার ভর্তি পরীক্ষার পদার্থবিজ্ঞান অংশ থেকে ২৫১৯টি প্রশ্ন, প্রতিটির সঠিক উত্তর আর পূর্ণ ব্যাখ্যাসহ।

২৫১৯ প্রশ্ন পাতা ১১৯/১২৬
সাল ধরে দেখো
২০২৪ ১টি২০২৩ ৪টি২০২২ ২টি২০২১ ১টি২০১৯ ২টি২০১৮ ২টি২০১৬ ১টি২০১৩ ১টি
  1. অর্ধপরিবাহী ডায়োডকে কী বলা হয় ?

    • ক রেকটিফায়ার
    • খ ট্রানজিস্টর
    • গ অ্যাম্পলিফায়ার
    • ঘ FET
    সঠিক উত্তর ও ব্যাখ্যা

    সঠিক উত্তর: ক) রেকটিফায়ার

    অর্ধপরিবাহী (p-n জাংশন) ডায়োড সম্মুখী ঝোঁকে প্রবাহ চালায় কিন্তু বিমুখী ঝোঁকে প্রায় চালায় না — অর্থাৎ একমুখী পরিবাহী। এজন্য এটি পরিবর্তী প্রবাহকে একমুখী প্রবাহে রূপান্তরে ব্যবহৃত হয় এবং একে রেকটিফায়ার (একমুখীকারক) বলা হয়।

    এই প্রশ্নটার আলাদা পাতা দেখো →

  2. p - n জাংশন অন্তরক হিসেবে কাজ করে যখন তা সংযুক্ত করা হয় —

    • ক এসি উৎসে
    • খ সম্মুখী ঝোঁকে
    • গ বিমুখী ঝোঁকে
    • ঘ এসি উৎসে অথবা বিমুখী ঝোঁকে
    সঠিক উত্তর ও ব্যাখ্যা

    সঠিক উত্তর: গ) বিমুখী ঝোঁকে

    বিমুখী ঝোঁকে p প্রান্ত ব্যাটারির ঋণাত্মক ও n প্রান্ত ধনাত্মক প্রান্তে যুক্ত থাকে; ফলে নিঃশেষিত স্তর প্রশস্ত হয়, বিভব প্রাচীর বাড়ে এবং রোধ অত্যন্ত বেশি হয় — জাংশন কার্যত অন্তরকের মতো আচরণ করে।

    এই প্রশ্নটার আলাদা পাতা দেখো →

  3. p - n জাংশন সম্মুখী ঝোঁকে থাকলে এর রোধ কেমন হয় ?

    • ক শূন্য
    • খ নিম্ন
    • গ উচ্চ
    • ঘ অসীম
    সঠিক উত্তর ও ব্যাখ্যা

    সঠিক উত্তর: ক) শূন্য

    সম্মুখী ঝোঁকে বিভব প্রাচীর ও নিঃশেষিত স্তর প্রায় বিলুপ্ত হয়, ফলে জাংশনের রোধ খুবই কম হয়। আদর্শ ডায়োডের ক্ষেত্রে সম্মুখী ঝোঁকে রোধ শূন্য ধরা হয় (বিমুখী ঝোঁকে অসীম)।

    এই প্রশ্নটার আলাদা পাতা দেখো →

  4. p–n জাংশনে বিমুখী ঝোঁক প্রদান করলে নিঃশেষিত স্তর —

    • ক হ্রাস পায়
    • খ বৃদ্ধি পায়
    • গ একই থাকে
    • ঘ বিলুপ্ত হয়
    সঠিক উত্তর ও ব্যাখ্যা

    সঠিক উত্তর: খ) বৃদ্ধি পায়

    বিমুখী ঝোঁকে p অঞ্চলের হোল ও n অঞ্চলের ইলেকট্রন ব্যাটারির টানে জাংশন থেকে দূরে সরে যায়, ফলে জাংশনের দুই পাশে অনাবৃত আয়নের সংখ্যা বাড়ে — নিঃশেষিত স্তর প্রশস্ত হয় (বৃদ্ধি পায়)। (দ্রষ্টব্য: বইয়ের উত্তরমালায় (গ) দেওয়া আছে; ১০ক ২৫ নং-এ একই প্রশ্নের উত্তর (খ) বৃদ্ধি পায়।)

    এই প্রশ্নটার আলাদা পাতা দেখো →

  5. p – n জাংশনের সংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ —

    • ক হোলের তাড়ন
    • খ আধান বাহকের ব্যাপন
    • গ ইলেকট্রনের তাড়ন
    • ঘ অপদ্রব আয়নের স্থানান্তর
    সঠিক উত্তর ও ব্যাখ্যা

    সঠিক উত্তর: খ) আধান বাহকের ব্যাপন

    p-n জাংশন তৈরির সাথে সাথে ঘনত্বের পার্থক্যের কারণে n অঞ্চলের ইলেকট্রন p অঞ্চলে এবং p অঞ্চলের হোল n অঞ্চলে ব্যাপিত হয়ে পরস্পর পুনর্মিলিত হয়। ফলে জাংশনের দুই পাশে আধান বাহকশূন্য একটি স্তর (কেবল স্থির আয়ন) তৈরি হয় — এটিই ডিপ্লেশন স্তর। অর্থাৎ এর কারণ আধান বাহকের ব্যাপন।

    এই প্রশ্নটার আলাদা পাতা দেখো →

  6. p – n জাংশন কখন সম্মুখী ঝোঁকে থাকে ?

    • ক যখন জাংশনে বিভব পার্থক্য প্রয়োগ করা হয় না
    • খ যখন p-টাইপ ব্যাটারির ধনাত্মক প্রান্তে এবং n-টাইপ ঋণাত্মক প্রান্তে সংযোগ দেওয়া হয়
    • গ যখন p-টাইপ ব্যাটারির ঋণাত্মক প্রান্তে এবং n-টাইপ ধনাত্মক প্রান্তে সংযোগ দেওয়া হয়
    • ঘ যখন জাংশনে চৌম্বকক্ষেত্র প্রয়োগ করা হয়
    সঠিক উত্তর ও ব্যাখ্যা

    সঠিক উত্তর: খ) যখন p-টাইপ ব্যাটারির ধনাত্মক প্রান্তে এবং n-টাইপ ঋণাত্মক প্রান্তে সংযোগ দেওয়া হয়

    p-টাইপ প্রান্ত ব্যাটারির ধনাত্মক এবং n-টাইপ প্রান্ত ঋণাত্মক প্রান্তে যুক্ত করলে বাহ্যিক বিভব বিভব প্রাচীরের বিপরীতে কাজ করে, প্রাচীর কমে যায় এবং প্রবাহ চলে — একে সম্মুখী ঝোঁক বলে।

    এই প্রশ্নটার আলাদা পাতা দেখো →

  7. p – n জাংশন কখন বিমুখী ঝোঁকে থাকে ?

    • ক যখন জাংশনে বিভব পার্থক্য প্রয়োগ করা হয় না
    • খ যখন p-টাইপ ব্যাটারির ধনাত্মক প্রান্তে এবং n-টাইপ ঋণাত্মক প্রান্তে সংযোগ দেওয়া হয়
    • গ যখন p-টাইপ ব্যাটারির ঋণাত্মক প্রান্তে এবং n-টাইপ ধনাত্মক প্রান্তে সংযোগ দেওয়া হয়
    • ঘ যখন জাংশনে চৌম্বকক্ষেত্র প্রয়োগ করা হয়
    সঠিক উত্তর ও ব্যাখ্যা

    সঠিক উত্তর: গ) যখন p-টাইপ ব্যাটারির ঋণাত্মক প্রান্তে এবং n-টাইপ ধনাত্মক প্রান্তে সংযোগ দেওয়া হয়

    p-টাইপ প্রান্ত ব্যাটারির ঋণাত্মক এবং n-টাইপ প্রান্ত ধনাত্মক প্রান্তে যুক্ত করলে বিভব প্রাচীর বাড়ে, নিঃশেষিত স্তর প্রশস্ত হয় এবং প্রায় কোনো প্রবাহ চলে না — একে বিমুখী ঝোঁক বলে।

    এই প্রশ্নটার আলাদা পাতা দেখো →

  8. সেমিকন্ডাক্টর রূপে ব্যবহৃত অপধাতুর প্রতীক হলো —

    • ক Cu
    • খ Al
    • গ Ge
    • ঘ Zn
    সঠিক উত্তর ও ব্যাখ্যা

    সঠিক উত্তর: গ) Ge

    জার্মেনিয়াম (Ge) ও সিলিকন (Si) হলো চতুর্যোজী অপধাতু যা সেমিকন্ডাক্টর হিসেবে ব্যবহৃত হয়। Cu, Al, Zn ধাতু — এরা পরিবাহী।

    এই প্রশ্নটার আলাদা পাতা দেখো →

  9. বিমুখী ঝোঁকে ভোল্টেজ ক্রমশ বাড়তে থাকলে একটি বিশেষ ভোল্টেজে প্রবাহমাত্রা হঠাৎ খুব বেড়ে যায়, এ ভোল্টেজকে কী বলা হয় ?

    • ক হল ভোল্টেজ
    • খ লরেঞ্জ ভোল্টেজ
    • গ জেনার ভোল্টেজ
    • ঘ কোনোটিই নয়
    সঠিক উত্তর ও ব্যাখ্যা

    সঠিক উত্তর: গ) জেনার ভোল্টেজ

    বিমুখী ঝোঁকে ভোল্টেজ বাড়াতে থাকলে একটি নির্দিষ্ট ভোল্টেজে জাংশন ভেঙে পড়ে (Breakdown) এবং প্রবাহ হঠাৎ খুব বেড়ে যায়। এ ভোল্টেজকে জেনার ভোল্টেজ বা ভাঙন (বিনাশী) ভোল্টেজ বলে। জেনার ডায়োড এ নীতিতে ভোল্টেজ স্থিতিকারক হিসেবে কাজ করে।

    এই প্রশ্নটার আলাদা পাতা দেখো →

  10. n-type অর্ধ-পরিবাহীর জন্য আধান বাহক হিসেবে নিচের কোনটি সঠিক ?

    • ক সংখ্যাগুরু বাহক: হোল; সংখ্যালঘু বাহক: ইলেকট্রন
    • খ সংখ্যাগুরু বাহক: ইলেকট্রন; সংখ্যালঘু বাহক: হোল
    • গ সংখ্যাগুরু বাহক: হোল; সংখ্যালঘু বাহক: হোল
    • ঘ সংখ্যাগুরু বাহক: ইলেকট্রন; সংখ্যালঘু বাহক: ইলেকট্রন
    সঠিক উত্তর ও ব্যাখ্যা

    সঠিক উত্তর: খ) সংখ্যাগুরু বাহক: ইলেকট্রন; সংখ্যালঘু বাহক: হোল

    n-টাইপ অর্ধপরিবাহীতে পঞ্চযোজী অপদ্রব অতিরিক্ত ইলেকট্রন সরবরাহ করে, তাই সংখ্যাগুরু বাহক ইলেকট্রন; তাপীয় কারণে সৃষ্ট অল্পসংখ্যক হোল হলো সংখ্যালঘু বাহক।

    এই প্রশ্নটার আলাদা পাতা দেখো →

  11. ডায়োডকে বিমুখী বায়াস করলে নিঃশেষিত স্তর (Depletion Layer)—

    • ক হ্রাস পায়
    • খ বৃদ্ধি পায়
    • গ একই থাকে
    • ঘ বিলুপ্ত হয়
    সঠিক উত্তর ও ব্যাখ্যা

    সঠিক উত্তর: খ) বৃদ্ধি পায়

    বিমুখী বায়াসে বাহ্যিক বিভব বিভব প্রাচীরের দিকে কাজ করে; সংখ্যাগুরু বাহকগুলো জাংশন থেকে দূরে সরে যায়, ফলে নিঃশেষিত স্তর প্রশস্ত হয় (বৃদ্ধি পায়)।

    এই প্রশ্নটার আলাদা পাতা দেখো →

  12. একটি 1.5 V বাল্ব একটি ডায়োডের সাথে দুটি 15 V এ.সি. এবং দুটি 15 V ডি.সি.-তে চিত্রানুযায়ী বিভিন্ন সংযোগে সংযুক্ত। কোন বর্তনীটিতে বাল্বটি একবারেই জ্বলবে না ?

    সঠিক উত্তর ও ব্যাখ্যা

    সঠিক উত্তর: ক) চিত্র

    ডায়োড কেবল সম্মুখী ঝোঁকে (তীর চিহ্নের দিকে) প্রবাহ চালায়।
    (ক) ডিসি উৎসের ধনাত্মক প্রান্ত ডায়োডের ক্যাথোডে যুক্ত — ডায়োড সবসময় বিমুখী ঝোঁকে, তাই বাল্ব একবারেই জ্বলবে না।
    (খ) ও (ঘ) এসি উৎসে প্রতি চক্রের অর্ধেক সময় ডায়োড সম্মুখী ঝোঁকে থাকে, তাই বাল্ব জ্বলবে (অর্ধ-তরঙ্গে)।
    (গ) ডিসি উৎসের ধনাত্মক প্রান্ত অ্যানোডে — সম্মুখী ঝোঁক, বাল্ব জ্বলবে।

    এই প্রশ্নটার আলাদা পাতা দেখো →

  13. নিচের কোন ডিভাইস এসিকে ডিসিতে রূপান্তর করে ?

    • ক ভোল্টমিটার
    • খ ডায়োড
    • গ অ্যামমিটার
    • ঘ ট্রানজিস্টর
    সঠিক উত্তর ও ব্যাখ্যা

    সঠিক উত্তর: খ) ডায়োড

    ডায়োড একমুখী পরিবাহী — সম্মুখী ঝোঁকে প্রবাহ চালায়, বিমুখী ঝোঁকে চালায় না। তাই এসি-র এক অর্ধচক্র আটকে দিয়ে এটি এসি-কে ডিসি-তে রূপান্তর করে (একমুখীকরণ বা রেকটিফিকেশন)।

    এই প্রশ্নটার আলাদা পাতা দেখো →

  14. p–n জাংশন ব্যবহার করা যায় —
    (i) বিবর্ধক হিসেবে (ii) একমুখীকারক হিসেবে (iii) ভোল্টেজ স্থিতিকারক হিসেবে
    নিচের কোনটি সঠিক ?

    • ক i ও ii
    • খ i ও iii
    • গ ii ও iii
    • ঘ i, ii ও iii
    সঠিক উত্তর ও ব্যাখ্যা

    সঠিক উত্তর: গ) ii ও iii

    (i) বিবর্ধক হিসেবে ট্রানজিস্টর ব্যবহৃত হয়, p-n জাংশন ডায়োড নয় — ভুল।
    (ii) p-n জাংশন ডায়োড একমুখীকারক (রেকটিফায়ার) হিসেবে কাজ করে — সঠিক।
    (iii) জেনার ডায়োড (বিশেষ p-n জাংশন) ভোল্টেজ স্থিতিকারক হিসেবে কাজ করে — সঠিক।
    ∴ ii ও iii সঠিক।

    এই প্রশ্নটার আলাদা পাতা দেখো →

  15. অর্ধপরিবাহীর ক্ষেত্রে প্রযোজ্য —
    (i) এদের রোধকত্ব প্রায় 10-4 Ω m
    (ii) পরমশূন্য তাপমাত্রায় এরা অন্তরক হিসেবে কাজ করে
    (iii) পরিবহণ ও যোজনব্যান্ডের মধ্যবর্তী দূরত্ব 1.1 eV এর কম
    নিচের কোনটি সঠিক ?

    • ক i ও ii
    • খ i ও iii
    • গ ii ও iii
    • ঘ i, ii ও iii
    সঠিক উত্তর ও ব্যাখ্যা

    সঠিক উত্তর: ঘ) i, ii ও iii

    (i) পাঠ্যবই অনুযায়ী অর্ধপরিবাহীর রোধকত্ব প্রায় 10-4 Ω m ক্রমের — সঠিক।
    (ii) 0 K তাপমাত্রায় পরিবহণব্যান্ডে কোনো ইলেকট্রন থাকে না, তাই এরা অন্তরক — সঠিক।
    (iii) অর্ধপরিবাহীর নিষিদ্ধ শক্তি ব্যবধান ছোট, প্রায় 1 eV ক্রমের (Ge ≈ 0.7 eV, Si ≈ 1.1 eV) — সঠিক।
    ∴ i, ii ও iii সঠিক।

    এই প্রশ্নটার আলাদা পাতা দেখো →

  16. p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর হচ্ছে —
    (i) অ্যালুমিনিয়াম ডোপায়িত সিলিকন
    (ii) বোরন ডোপায়িত জার্মেনিয়াম
    (iii) ফসফরাস ডোপায়িত জার্মেনিয়াম
    নিচের কোনটি সঠিক ?

    • ক i ও ii
    • খ ii ও iii
    • গ i ও iii
    • ঘ i, ii ও iii
    সঠিক উত্তর ও ব্যাখ্যা

    সঠিক উত্তর: ক) i ও ii

    ত্রিযোজী অপদ্রব (B, Al, Ga, In) মেশালে p-টাইপ এবং পঞ্চযোজী (P, As, Sb) মেশালে n-টাইপ অর্ধপরিবাহী হয়।
    (i) Al ত্রিযোজী → p-টাইপ — সঠিক।
    (ii) বোরন ত্রিযোজী → p-টাইপ — সঠিক।
    (iii) ফসফরাস পঞ্চযোজী → n-টাইপ — ভুল।
    ∴ i ও ii সঠিক।

    এই প্রশ্নটার আলাদা পাতা দেখো →

  17. n- টাইপ সেমিকন্ডাক্টর হচ্ছে —
    (i) আর্সেনিক ডোপায়িত জার্মেনিয়াম
    (ii) ফসফরাস ডোপায়িত সিলিকন
    (iii) গ্যালিয়াম ডোপায়িত জার্মেনিয়াম
    নিচের কোনটি সঠিক ?

    • ক i ও ii
    • খ ii ও iii
    • গ i ও iii
    • ঘ i, ii ও iii
    সঠিক উত্তর ও ব্যাখ্যা

    সঠিক উত্তর: ক) i ও ii

    (i) আর্সেনিক পঞ্চযোজী → n-টাইপ — সঠিক।
    (ii) ফসফরাস পঞ্চযোজী → n-টাইপ — সঠিক।
    (iii) গ্যালিয়াম ত্রিযোজী → p-টাইপ — ভুল।
    ∴ i ও ii সঠিক। (দ্রষ্টব্য: বইয়ের উত্তরমালায় (গ) দেওয়া আছে, কিন্তু গ্যালিয়াম ডোপায়িত জার্মেনিয়াম p-টাইপ।)

    এই প্রশ্নটার আলাদা পাতা দেখো →

  18. স্বাভাবিক তাপমাত্রায় p-টাইপ অর্ধপরিবাহীর আধান কোনটি (কোনগুলো) ?

    • ক শুধুমাত্র হোল
    • খ শুধুমাত্র ইলেকট্রন
    • গ ধনাত্মক আয়ন
    • ঘ হোল এবং ইলেকট্রন
    সঠিক উত্তর ও ব্যাখ্যা

    সঠিক উত্তর: ঘ) হোল এবং ইলেকট্রন

    স্বাভাবিক তাপমাত্রায় p-টাইপ অর্ধপরিবাহীতে সংখ্যাগুরু বাহক হোল (ত্রিযোজী অপদ্রব থেকে) এবং তাপীয়ভাবে সৃষ্ট ইলেকট্রন-হোল জোড় থেকে কিছু ইলেকট্রন সংখ্যালঘু বাহক হিসেবে থাকে। তাই আধান বাহক হোল এবং ইলেকট্রন উভয়ই।

    এই প্রশ্নটার আলাদা পাতা দেখো →

  19. p–n জাংশন সংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ হলো —

    • ক অপদ্রব আয়ন
    • খ আধান বাহকের ব্যাপন
    • গ ইলেকট্রনের তাড়ন
    • ঘ হোলের তাড়ন
    সঠিক উত্তর ও ব্যাখ্যা

    সঠিক উত্তর: খ) আধান বাহকের ব্যাপন

    জাংশনের দুই পাশে বাহকের ঘনত্বের পার্থক্যের কারণে n অঞ্চলের ইলেকট্রন p অঞ্চলে এবং p অঞ্চলের হোল n অঞ্চলে ব্যাপিত হয়ে পুনর্মিলিত হয়; ফলে জাংশনের কাছে বাহকশূন্য ডিপ্লেশন স্তর সৃষ্টি হয়। কারণ — আধান বাহকের ব্যাপন।

    এই প্রশ্নটার আলাদা পাতা দেখো →

  20. নিচের কোনটিকে ডোপেন্ট হিসেবে ব্যবহার করলে p-টাইপ অর্ধপরিবাহীর ধর্ম পাওয়া যাবে না ?

    • ক অ্যালুমিনিয়াম
    • খ এন্টিমনি
    • গ গ্যালিয়াম
    • ঘ ইন্ডিয়াম
    সঠিক উত্তর ও ব্যাখ্যা

    সঠিক উত্তর: খ) এন্টিমনি

    p-টাইপ অর্ধপরিবাহীর জন্য ত্রিযোজী ডোপেন্ট (Al, Ga, In, B) দরকার। এন্টিমনি (Sb) পঞ্চযোজী — এটি মেশালে n-টাইপ অর্ধপরিবাহী হয়, p-টাইপ নয়।

    এই প্রশ্নটার আলাদা পাতা দেখো →

তপন স্যার ধাঁচে পরীক্ষা দাও

এই প্রতিষ্ঠানের প্রশ্ন দিয়েই এক্সাম বানাও — সময় ধরে, নেগেটিভ মার্কিংসহ।

এক্সাম বানাও →

← পুরো প্রশ্নব্যাংক

বেশিরভাগ ফিচার একদম ফ্রি · প্রিমিয়াম শুধু বাড়তি প্রস্তুতির জন্য হোমপেজে ফিরি