ডায়োডকে বিপরীত বায়াস করলে নিঃশেষিত স্তর---

সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স ২য় পত্র ইসহাক স্যার ishaq_semi_023

সঠিক উত্তর

গ) বৃদ্ধি পায়

ব্যাখ্যা

ডায়োডকে বিপরীত বায়াস করলে জাংশনের উভয় পাশে মুক্ত চার্জবাহকগুলো আরও দূরে সরে যাওয়ায় নিঃশেষিত (ডিপ্লেশন) স্তরের প্রস্থ বৃদ্ধি পায়। সঠিক উত্তর গ।

এরকম আরও প্রশ্ন নিয়ে পরীক্ষা দাও

সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের প্রশ্ন দিয়ে নিজের এক্সাম বানাও — সময় ধরে, ফল সাথে সাথে।

এক্সাম বানাও →

সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের আরও প্রশ্ন

NAND গেটের উভয় ইনপুট 1 হলে আউটপুট কত?একটি ট্রানজিস্টরের তাপমাত্রা বৃদ্ধি পেলে এর —দিক পরিবর্তী প্রবাহকে একমুখী প্রবাহে রূপান্তরিত করে---চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7 V এবং 0.3 …সিলিকন ও জার্মেনিয়ামের ব্যান্ড ব্যবধান যথাক্রমে কত?একটি ট্রানজিস্টর সাধারণ পীঠ সংযোগে আছে। যদি নিঃসারক প্রবাহ 0.8…কোন গেইটের ইনপুটে বিজোড় সংখ্যক 1 হলে আউটপুট 1 হয় ?নিচের কোনটি n-টাইপ ডোপিংয়ে ব্যবহৃত হয়?

সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের সব প্রশ্ন →

বেশিরভাগ ফিচার একদম ফ্রি · প্রিমিয়াম শুধু বাড়তি প্রস্তুতির জন্য হোমপেজে ফিরি