চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7 V এবং 0.3 V।
5.6 kΩ রোধের মধ্য দিয়ে কত তড়িৎ প্রবাহিত হবে?
- ক 0.47 mA
- খ 0.5 mA
- গ 1.96 mA
- ঘ 2.14 mA
সঠিক উত্তর
গ) 1.96 mA
ব্যাখ্যা
এখানে,
উৎসের বিভব, E = 12 V
Si ডায়োডের নী ভোল্টেজ, VSi = 0.7 V
Ge ডায়োডের নী ভোল্টেজ, VGe = 0.3 V
রোধ, R = 5.6 kΩ = 5.6 × 103 Ω
নির্ণেয় প্রবাহ, I = ?
আমরা জানি,
I = E − VSi − VGeR
= 12 − 0.7 − 0.35.6 × 103
= 115.6 × 103
∴ I = 1.96 × 10−3 A = 1.96 mA
সঠিক উত্তর গ।
উৎসের বিভব, E = 12 V
Si ডায়োডের নী ভোল্টেজ, VSi = 0.7 V
Ge ডায়োডের নী ভোল্টেজ, VGe = 0.3 V
রোধ, R = 5.6 kΩ = 5.6 × 103 Ω
নির্ণেয় প্রবাহ, I = ?
আমরা জানি,
I = E − VSi − VGeR
= 12 − 0.7 − 0.35.6 × 103
= 115.6 × 103
∴ I = 1.96 × 10−3 A = 1.96 mA
সঠিক উত্তর গ।
এরকম আরও প্রশ্ন নিয়ে পরীক্ষা দাও
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের প্রশ্ন দিয়ে নিজের এক্সাম বানাও — সময় ধরে, ফল সাথে সাথে।
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের আরও প্রশ্ন
অর্ধপরিবাহীর বৈশিষ্ট্য নয় কোনটি?চিত্রে Y চিহ্নিত প্রান্তটি কী?বিভব বাধা অতিক্রম করতে সংখ্যাগুরু বাহকের কী প্রয়োজন?বিশুদ্ধ বাহক ঘনত্ব 10¹⁶ m⁻³ এবং n-টাইপে ইলেকট্রন ঘনত্ব 10²² m⁻…p-n জংশনে ড্রিফট প্রবাহ কাদের কারণে ঘটে?p-টাইপ Semiconductor হলো---বুলিয়ান বীজগণিতে A + A·B-এর সমতুল্য কোনটি?নিম্নের কোনটির ভিত্তিতে কম্পিউটার আবিষ্কার করা হয়েছে?