সিলিকন ও জার্মেনিয়ামের ব্যান্ড ব্যবধান যথাক্রমে কত?
- ক 0.7 eV ও 1.1 eV
- খ 5.5 eV ও 1.1 eV
- গ 1.1 eV ও 0.7 eV
- ঘ 1.1 eV ও 5.5 eV
সঠিক উত্তর
গ) 1.1 eV ও 0.7 eV
ব্যাখ্যা
Si: 1.1 eV এবং Ge: 0.7 eV।
Ge-এর ব্যবধান ছোট বলে কক্ষ তাপমাত্রায় তার পরিবাহিতা বেশি, কিন্তু তাপীয় সংবেদনশীলতাও বেশি — এজন্যই আধুনিক ডিভাইসে সিলিকনই বেশি ব্যবহৃত হয়।
Ge-এর ব্যবধান ছোট বলে কক্ষ তাপমাত্রায় তার পরিবাহিতা বেশি, কিন্তু তাপীয় সংবেদনশীলতাও বেশি — এজন্যই আধুনিক ডিভাইসে সিলিকনই বেশি ব্যবহৃত হয়।
এরকম আরও প্রশ্ন নিয়ে পরীক্ষা দাও
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের প্রশ্ন দিয়ে নিজের এক্সাম বানাও — সময় ধরে, ফল সাথে সাথে।
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের আরও প্রশ্ন
বহিঃস্থ অর্ধপরিবাহীর প্রধান সুবিধা কী?n-টাইপ অর্ধপরিবাহীতে ফার্মি স্তর কোথায় সরে যায়?ডায়োড ব্যবহৃত হয় নিচের কোন যন্ত্রটিতে ?p – n জাংশনের সংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ —বুলিয়ান ফাংশন F = (A + B)(A + B̅) হলে, F এর সরলীকৃত মান কোনটি…ট্রানজিস্টরের CE সংযোগ ব্যবস্থায় লোড রোধ 5 kΩ এবং ইনপুট রোধ 1…বিশুদ্ধ সিলিকনে পরম শূন্য তাপমাত্রায় (0 K) কী ঘটে?LED ডায়োড কী ধরনের আলো নিঃসরণ করে ?