p-n জাংশনে বিভব প্রাচীর কোন আকারে সঞ্চিত থাকে?
- ক মুক্ত ইলেকট্রনের গতিশক্তিতে
- খ জাংশনের তাপে
- গ ডিপ্লেশন স্তরের স্থির আয়নের কারণে সৃষ্ট তড়িৎ ক্ষেত্রে
- ঘ বাইরের ব্যাটারিতে
সঠিক উত্তর
গ) ডিপ্লেশন স্তরের স্থির আয়নের কারণে সৃষ্ট তড়িৎ ক্ষেত্রে
ব্যাখ্যা
ব্যাপনের পর জাংশনের দুই পাশে থেকে যায় অনড় আয়ন — n-পাশে ধনাত্মক দাতা আয়ন, p-পাশে ঋণাত্মক গ্রাহক আয়ন।
এরা কেলাস-কাঠামোয় আটকা, চলতে পারে না ⟹ স্থায়ী তড়িৎ ক্ষেত্র ⟹ বিভব প্রাচীর।
ডোপিং বেশি হলে আয়ন ঘনত্ব বেশি ⟹ ডিপ্লেশন স্তর সরু কিন্তু ক্ষেত্র প্রবল — জেনার ডায়োড এভাবেই বানানো হয়।
বাইরের কোনো উৎস ছাড়াই এই প্রাচীর তৈরি হয়, তাই একে "অন্তর্নিহিত বিভব" বলে।
এরা কেলাস-কাঠামোয় আটকা, চলতে পারে না ⟹ স্থায়ী তড়িৎ ক্ষেত্র ⟹ বিভব প্রাচীর।
ডোপিং বেশি হলে আয়ন ঘনত্ব বেশি ⟹ ডিপ্লেশন স্তর সরু কিন্তু ক্ষেত্র প্রবল — জেনার ডায়োড এভাবেই বানানো হয়।
বাইরের কোনো উৎস ছাড়াই এই প্রাচীর তৈরি হয়, তাই একে "অন্তর্নিহিত বিভব" বলে।
এরকম আরও প্রশ্ন নিয়ে পরীক্ষা দাও
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের প্রশ্ন দিয়ে নিজের এক্সাম বানাও — সময় ধরে, ফল সাথে সাথে।
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের আরও প্রশ্ন
একটি p-n জংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর …Ge ও Si ডায়োড দুটির নী-ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7 V ও 0.3 V.Ge ডায়…দুইটি অভিন্ন সিলিকন ডায়োড শ্রেণিতে সম্মুখ বায়াসে যুক্ত। 6 V …কোন লজিক গেট দুটিকে সার্বজনীন গেট বলে?⚠️[যাচাই দরকার] (7B.F6)16-এর বাইনারি মান---একটি নমুনায় ne = 10¹⁴ m⁻³ ও nh = 10¹⁸ m⁻³। নমুনাটি কোন প্রকার…অর্ধপরিবাহীর বৈশিষ্ট্য নয় কোনটি?⚠️[যাচাই দরকার] নিচের চিত্রের আউটপুট কত? [চিত্র আছে]