ডিপ্লেশন স্তরের ভেতরের তড়িৎ ক্ষেত্রের দিক কোনটি?

সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স ২য় পত্র PhysicsVerse ভার্সিটি স্পেশাল

সঠিক উত্তর

ঘ) n-পাশ থেকে p-পাশের দিকে, যা আরও ব্যাপন ঠেকিয়ে দেয়

ব্যাখ্যা

n-পাশে ধনাত্মক আয়ন, p-পাশে ঋণাত্মক আয়ন ⟹ ক্ষেত্র ধনাত্মক থেকে ঋণাত্মকের দিকে ⟹ n → p

এই ক্ষেত্র ইলেকট্রনকে n-পাশেই ঠেলে রাখে ⟹ আরও ব্যাপন বন্ধ ⟹ সাম্যাবস্থা

একে বলে বিভব প্রাচীর — সিলিকনে ≈0.7 V, জার্মেনিয়ামে ≈0.3 V।

এই প্রাচীর বাইরের ভোল্টমিটারে মাপা যায় না, কারণ সংযোগ তারেও সমান বিপরীত সংযোগ-বিভব তৈরি হয়।

এরকম আরও প্রশ্ন নিয়ে পরীক্ষা দাও

সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের প্রশ্ন দিয়ে নিজের এক্সাম বানাও — সময় ধরে, ফল সাথে সাথে।

এক্সাম বানাও →

সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের আরও প্রশ্ন

সূর্য কিরণের মাধ্যমে আলোকশক্তিকে তড়িৎশক্তিতে রূপান্তরিত করে —263 সংখ্যাটি হতে পারে — i. অক্টাল ii. হেক্সাডেসিমেল iii. ডেসিম…নিম্নের কোনটি ইলেকট্রনিক পদার্থের জন্য সঠিক?ট্রানজিস্টর হচ্ছে (i) p--n--p গঠন(ii) ডায়োড সদৃশ গঠন(iii) তিন…⚠️[যাচাই দরকার] নিচের কোন ডায়োডটি রিভার্স বায়াসে?একটি সিলিকন ডায়োডের দুই প্রান্তে 0.5 V সম্মুখ ভোল্টেজ দেওয়া …অ্যাম্পলিফায়ার হিসেবে ব্যবহৃত হয় —Y = A⊕B এটি কোন লজিক গেটের আউটপুট ফাংশন---

সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের সব প্রশ্ন →

বেশিরভাগ ফিচার একদম ফ্রি · প্রিমিয়াম শুধু বাড়তি প্রস্তুতির জন্য হোমপেজে ফিরি