পরিবাহী, অর্ধপরিবাহী ও অন্তরকের ব্যান্ড ব্যবধান সম্পর্কে কোনটি সঠিক?
- ক পরিবাহীতে পরিবহন ও যোজন ব্যান্ড উপরিপাতিত, অর্ধপরিবাহীতে ব্যবধান ≈1 eV, অন্তরকে > 3 eV
- খ তিনটিতেই ব্যান্ড ব্যবধান সমান
- গ পরিবাহীতে ব্যবধান সবচেয়ে বেশি
- ঘ অর্ধপরিবাহীতে ব্যবধান অন্তরকের চেয়ে বেশি
সঠিক উত্তর
ক) পরিবাহীতে পরিবহন ও যোজন ব্যান্ড উপরিপাতিত, অর্ধপরিবাহীতে ব্যবধান ≈1 eV, অন্তরকে > 3 eV
ব্যাখ্যা
পরিবাহী (তামা): দুই ব্যান্ড উপরিপাতিত ⟹ Eg = 0 ⟹ ঘরের তাপমাত্রাতেও অসংখ্য মুক্ত ইলেকট্রন
অর্ধপরিবাহী: Si 1.1 eV, Ge 0.7 eV ⟹ তাপে কিছু ইলেকট্রন লাফ দিতে পারে
অন্তরক (হীরা): ≈5.5 eV ⟹ ঘরের তাপশক্তি (≈0.026 eV) মোটেও যথেষ্ট নয়
ব্যান্ড ব্যবধানের এই পার্থক্যই তিন শ্রেণির পুরো আচরণ নির্ধারণ করে।
অর্ধপরিবাহী: Si 1.1 eV, Ge 0.7 eV ⟹ তাপে কিছু ইলেকট্রন লাফ দিতে পারে
অন্তরক (হীরা): ≈5.5 eV ⟹ ঘরের তাপশক্তি (≈0.026 eV) মোটেও যথেষ্ট নয়
ব্যান্ড ব্যবধানের এই পার্থক্যই তিন শ্রেণির পুরো আচরণ নির্ধারণ করে।
এরকম আরও প্রশ্ন নিয়ে পরীক্ষা দাও
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের প্রশ্ন দিয়ে নিজের এক্সাম বানাও — সময় ধরে, ফল সাথে সাথে।
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের আরও প্রশ্ন
বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহী ব্যবহারিক ডিভাইসে সরাসরি ব্যবহৃত হয় না কে…একটি সিলিকন ডায়োডে 0.5 V সম্মুখ বিভব প্রয়োগ করলে প্রবাহ কেমন…একটি অর্ধপরিবাহীর পরিবাহিতা 500 Sm⁻¹ হলে আপেক্ষিক রোধ কত?নিচের কোনটি অর্ধপরিবাহী?ট্রানজিস্টরে ক্ষমতা লাভ কীভাবে পাওয়া যায়?একটি p-টাইপের অর্ধপরিবাহী তৈরি করার জন্য বিশুদ্ধ সিলিকনকে যে অ…XNOR gate-এর আউটপুট 1 হবে যখন ইনপুট দুটি হবে — (i) 0 এবং 0 (ii…বিশুদ্ধ সিলিকনে ni = 1.5 × 10¹⁶ m⁻³ হলে ইলেকট্রন ও হোলের ঘনত্ব…