উচ্চ তাপমাত্রায় সিলিকন জার্মেনিয়ামের চেয়ে ভালো কাজ করে কেন?
- ক সিলিকনের ব্যান্ড ব্যবধান বড় বলে তাপীয় বাহক কম তৈরি হয়
- খ সিলিকন বেশি সস্তা
- গ সিলিকনের গলনাঙ্ক কম
- ঘ সিলিকন ধাতু
সঠিক উত্তর
ক) সিলিকনের ব্যান্ড ব্যবধান বড় বলে তাপীয় বাহক কম তৈরি হয়
ব্যাখ্যা
Si-এর Eg = 1.1 eV, Ge-এর 0.7 eV।
বড় ব্যবধানের কারণে উচ্চ তাপমাত্রায়ও সিলিকনে তাপীয় বাহক অনেক কম তৈরি হয়, তাই ডিভাইসের আচরণ স্থিতিশীল থাকে। এজন্যই আধুনিক ইলেকট্রনিক্সে Si-ই প্রধান।
বড় ব্যবধানের কারণে উচ্চ তাপমাত্রায়ও সিলিকনে তাপীয় বাহক অনেক কম তৈরি হয়, তাই ডিভাইসের আচরণ স্থিতিশীল থাকে। এজন্যই আধুনিক ইলেকট্রনিক্সে Si-ই প্রধান।
এরকম আরও প্রশ্ন নিয়ে পরীক্ষা দাও
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের প্রশ্ন দিয়ে নিজের এক্সাম বানাও — সময় ধরে, ফল সাথে সাথে।
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের আরও প্রশ্ন
চিত্রে প্রদর্শিত লজিক বর্তনীর আউটপুট (X) হবে---তাপ ছাড়া আর কীভাবে অর্ধপরিবাহীতে ইলেকট্রন-হোল জোড়া তৈরি করা …ABY001100010110উদ্দীপকের টেবিলটি নিচের কোন লজিক গেটের জন্য প্র…সিলিকনের Knee (Knee) ভোল্টেজের মান কত?সিলিকন ও জার্মেনিয়ামের ব্যান্ড ব্যবধান যথাক্রমে 1.1 eV ও 0.7 …p-টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরি করতে কী মেশানো হয়?Ge ও Si ডায়োড দুটির নী-ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7 V ও 0.3 V.Ge ডায়…(7B.F6)16 এর বাইনারি মান---