একই তাপমাত্রায় জার্মেনিয়ামের পরিবাহিতা সিলিকনের চেয়ে বেশি কেন?
- ক জার্মেনিয়াম ধাতু
- খ জার্মেনিয়ামের ইলেকট্রন সংখ্যা বেশি
- গ জার্মেনিয়ামের ব্যান্ড ব্যবধান ছোট
- ঘ জার্মেনিয়াম হালকা
সঠিক উত্তর
গ) জার্মেনিয়ামের ব্যান্ড ব্যবধান ছোট
ব্যাখ্যা
Ge-এর ব্যবধান 0.7 eV, Si-এর 1.1 eV।
ছোট ব্যবধান মানে একই তাপমাত্রায় অনেক বেশি ইলেকট্রন লাফ দিতে পারে, তাই পরিবাহিতাও বেশি। তবে এ কারণেই Ge তাপে বেশি অস্থিতিশীল।
ছোট ব্যবধান মানে একই তাপমাত্রায় অনেক বেশি ইলেকট্রন লাফ দিতে পারে, তাই পরিবাহিতাও বেশি। তবে এ কারণেই Ge তাপে বেশি অস্থিতিশীল।
এরকম আরও প্রশ্ন নিয়ে পরীক্ষা দাও
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের প্রশ্ন দিয়ে নিজের এক্সাম বানাও — সময় ধরে, ফল সাথে সাথে।
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের আরও প্রশ্ন
নিচের কোনটি NPN ট্রানজিস্টর ?সিলিকন ও জার্মেনিয়াম ডায়োডের বিভব বাধা যথাক্রমে প্রায় কত?নিচের কোনটি p-টাইপ ডোপিংয়ে ব্যবহৃত হয়?ট্রানজিস্টর হচ্ছে — (i) (ii) (iii) নিচের কোনটি সঠিক ?অর্ধপরিবাহী ডায়োডকে সম্মুখী বায়াস করলে নিষেধিত স্তর---নিম্নলিখিত ট্রুথ টেবিলটি কোন গেটের জন্য প্রযোজ্য?ABY0011000101…একটি অর্ধপরিবাহীর ব্যান্ড ব্যবধান 1.24 eV। কোন সর্বোচ্চ তরঙ্গদ…অর্ধপরিবাহীর আপেক্ষিক রোধ কোন পাল্লার মধ্যে থাকে?