Ge ও Si ডায়োড দুটির নী-ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7 V ও 0.3 V.
উদ্দীপকে ব্যবহৃত রোধের মধ্যদিয়ে কত তড়িৎ প্রবাহিত হবে?
- ক 1.96A
- খ 2.03A
- গ 2.09A
- ঘ 2.32A
সঠিক উত্তর
ক) 1.96A
ব্যাখ্যা
Si ও Ge ডায়োড দুটি সম্মুখী ঝোঁকে শ্রেণিতে যুক্ত। তাই মোট নী-ভোল্টেজ = 0.7 + 0.3 = 1.0 V
রোধের দুই প্রান্তের বিভব = 12 - 1.0 = 11 V
∴ I = VR = 115.6 = 1.96 A
রোধের দুই প্রান্তের বিভব = 12 - 1.0 = 11 V
∴ I = VR = 115.6 = 1.96 A
এরকম আরও প্রশ্ন নিয়ে পরীক্ষা দাও
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের প্রশ্ন দিয়ে নিজের এক্সাম বানাও — সময় ধরে, ফল সাথে সাথে।
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের আরও প্রশ্ন
নিচের কোনটি অর্ধপরিবাহী নয়?বুলিয়ান বীজগণিতে A + A′ = কত?একটি n-টাইপ নমুনায় ইলেকট্রন ঘনত্ব 5 × 10²² m⁻³ ও গতিশীলতা 0.1…⚠️[যাচাই দরকার] X-OR এর প্রতীক কোনটি?n- টাইপ সেমিকন্ডাক্টর হচ্ছে —(i) আর্সেনিক ডোপায়িত জার্মেনিয়া…একটি নমুনায় ne = 10¹⁴ m⁻³ ও nh = 10¹⁸ m⁻³। নমুনাটি কোন প্রকার…নিচের কোন ধাতুটি তড়িৎ সুপরিবাহী নয়?⚠️[যাচাই দরকার] নিচের কোন ডায়োডটি রিভার্স বায়াসে?