নিচের চিত্রে Si এবং Ge ডায়োড দুটির নি-ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7 V এবং 0.3 V। 5.5 kΩ রোধের মধ্য দিয়ে কত বিদ্যুৎ প্রবাহিত হবে? Ge ডায়োডটি উল্টা করে সংযোগ দিলে রোধের দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য কত হবে?
- ক 2.0 mA এবং 0 V
- খ 2.0 mA এবং 0.7 V
- গ 2.0 A এবং 0 V
- ঘ 2.0 mA এবং 0.3 V
সঠিক উত্তর
ক) 2.0 mA এবং 0 V
ব্যাখ্যা
এখানে,
উৎসের বিভব, E = 12 V
VSi = 0.7 V, VGe = 0.3 V
রোধ, R = 5.5 kΩ = 5500 Ω
আমরা জানি,
I = E − VSi − VGeR
= 12 − 0.7 − 0.35500
= 115500
∴ I = 2.0 × 10−3 A = 2.0 mA
Ge ডায়োডটি উল্টা করে সংযোগ দিলে এটি বিমুখী বায়াসে চলে যায়, শ্রেণি বর্তনীতে প্রবাহ শূন্য হয়; ফলে রোধের দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য V = IR = 0 V।
সঠিক উত্তর ক।
উৎসের বিভব, E = 12 V
VSi = 0.7 V, VGe = 0.3 V
রোধ, R = 5.5 kΩ = 5500 Ω
আমরা জানি,
I = E − VSi − VGeR
= 12 − 0.7 − 0.35500
= 115500
∴ I = 2.0 × 10−3 A = 2.0 mA
Ge ডায়োডটি উল্টা করে সংযোগ দিলে এটি বিমুখী বায়াসে চলে যায়, শ্রেণি বর্তনীতে প্রবাহ শূন্য হয়; ফলে রোধের দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য V = IR = 0 V।
সঠিক উত্তর ক।
এরকম আরও প্রশ্ন নিয়ে পরীক্ষা দাও
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের প্রশ্ন দিয়ে নিজের এক্সাম বানাও — সময় ধরে, ফল সাথে সাথে।
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের আরও প্রশ্ন
p- টাইপ অর্ধপরিবাহী তৈরির জন্য বিশুদ্ধ সিলিকনের সাথে অপদ্রব মি…ডায়োডের সর্বোচ্চ বিমুখ ভোল্টেজ (PIV) বলতে কী বোঝায়?রেকটিফায়ারের আউটপুটকে বিশুদ্ধ DC বলা যায় না কেন?জার্মেনিয়ামের নী (Knee) ভোল্টেজ কত ?নিম্নের কোন ডিভাইসটি পরিবর্তী প্রবাহকে একমুখী প্রবাহে রূপান্তর…কোনটি Digital signal ?জেনার ডায়োডকে ভোল্টেজ নিয়ন্ত্রক হিসেবে কীভাবে যুক্ত করতে হয়…80 গিগাবাইটে (GB) কত বাইট (B) ?