চিত্রে Si ও Ge ডায়োড দুটির নী ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7 V এবং 0.3 V।
উদ্দীপকে Ge ডায়োডটিকে উল্টো করে সংযোগ দিলে রোধটির দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য পূর্বাপেক্ষা---
- ক কমবে
- খ সসীম সীমায় বাড়বে
- গ শূন্য হবে
- ঘ অসীম হবে
সঠিক উত্তর
গ) শূন্য হবে
ব্যাখ্যা
Ge ডায়োডটিকে উল্টো করে সংযোগ দিলে এটি বিমুখী বায়াসে চলে যায়। ডায়োড দুটি ও রোধ শ্রেণিতে যুক্ত থাকায় বর্তনীতে কার্যত কোনো প্রবাহ চলবে না (I = 0)। ফলে রোধের দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য V = IR = 0 হবে, যা আগে ছিল 11 V। সঠিক উত্তর গ।
এরকম আরও প্রশ্ন নিয়ে পরীক্ষা দাও
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের প্রশ্ন দিয়ে নিজের এক্সাম বানাও — সময় ধরে, ফল সাথে সাথে।
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের আরও প্রশ্ন
ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট সম্পর্কে সত্য নয় কোনটি?কোন গেটের সকল ইনপুট 1 হলে আউটপুট 1 হয়?ডায়োডকে বিপরীত বায়াস করলে নিষেধিত স্তরের কী হয়?নিচের কোনটি ডায়োডের সম্মুখ ঝোঁক নির্দেশ করে ?একটি পূর্ণতরঙ্গ একমুখীকারকে সর্বোচ্চ ভোল্টেজ 20 V। গড় আউটপুট …একটি ট্রানজিস্টরের সংগ্রাহক প্রবাহ 5 mA এবং ভূমি প্রবাহ 100 μA…একটি ট্রানজিস্টরের সাধারণ পীঠ সংযোগে প্রবাহ লাভ β-এর জন্য কোনট…নিচের চিত্রে প্রদর্শিত আদর্শ p-n সংযোগ ডায়োডটির মধ্য দিয়ে তড…