নিচের চিত্রে Si এবং Ge ডায়োড দুটির নী-ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7 V এবং 0.3 V। 5.5 kΩ রোধের মধ্য দিয়ে কত বিদ্যুৎ প্রবাহিত হবে? Ge ডায়োডটি উল্টো করে সংযোগ দিলে রোধের দুই প্রান্তের বিভব পার্থক্য কত হবে?

বর্তনীতে EMF = 12V ধরে, Si ও Ge ডায়োড দুটো সিরিজে সঠিক দিকে (forward) সংযুক্ত থাকায় মোট নী-ভোল্টেজ ড্রপ = 0.7V + 0.3V = 1.0V। সুতরাং 5.5 kΩ রোধের মধ্য দিয়ে প্রবাহ, I = (EMF − ΣVনী)/R = (12 − 1.0)5500 = 115500 = 0.002 A = 2.0 mA। এখন Ge ডায়োডটি উল্টো (বিপরীতমুখী) করে সংযোগ দিলে সিরিজ বর্তনীতে সেটি বিপরীত বায়াসে (reverse biased) চলে যায় এবং কার্যত অসীম রোধ তৈরি করে, ফলে সম্পূর্ণ বর্তনী open হয়ে যায় ও প্রবাহ = 0। প্রবাহ শূন্য হলে রোধের দুই প্রান্তে বিভব পার্থক্যও V = IR = 0 × 5500 = 0 V। উত্তর: 2.0 mA এবং 0 V।