অর্ধপরিবাহীর শক্তি ব্যবধান---
- ক 2.5 eV
- খ 1 eV
- গ 3 eV
- ঘ 7 eV
সঠিক উত্তর
খ) 1 eV
ব্যাখ্যা
বিশুদ্ধ অর্ধপরিবাহীর (Si, Ge) শক্তি ব্যবধান (band gap) প্রায় 1 eV-এর কাছাকাছি (Si ≈ 1.1 eV, Ge ≈ 0.7 eV) -- এর তুলনায় পরিবাহীর ব্যবধান প্রায় শূন্য, আর অন্তরকের ৬ eV-এর বেশি। প্রদত্ত অপশনের মধ্যে 1 eV-ই অর্ধপরিবাহীর প্রতিনিধিত্বমূলক মান।
এরকম আরও প্রশ্ন নিয়ে পরীক্ষা দাও
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের প্রশ্ন দিয়ে নিজের এক্সাম বানাও — সময় ধরে, ফল সাথে সাথে।
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের আরও প্রশ্ন
p-n জংশন ডায়োড সম্মুখ ঝোঁকে থাকলে—অর্ধপরিবাহীর ক্ষেত্রে প্রযোজ্য---(i) এদের রোধকত্ব প্রায় 10−4 …উদ্দীপকের AB অংশে গতীয় রোধ কত ?বাইনারি নম্বর (10111)2 এর ডেসিমেল নম্বর কোনটি ?কোনো ট্রানজিস্টরের সাধারণ পীঠ সংযোগে সংযুক্ত এর নিঃসারক প্রবাহ…নিচের কোনটি এসি-কে ডিসি-তে রূপান্তরিত করে?চিত্রে প্রদর্শিত আদর্শ ডায়োডটির মধ্য দিয়ে তড়িৎ প্রবাহমাত্রা…p-n জংশনে ড্রিফট প্রবাহ কাদের কারণে ঘটে?