p-n জাংশনের সংযোগস্থলে ডিপ্লেশন স্তরের সৃষ্টির কারণ হলো---

সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স ২য় পত্র ইসহাক স্যার ishaq_semi_063

সঠিক উত্তর

খ) আধান বাহকের ব্যাপন

ব্যাখ্যা

p-n জাংশন তৈরি হলে জাংশনের কাছাকাছি p-সাইডের হোল ও n-সাইডের মুক্ত ইলেকট্রন ঘনত্বের পার্থক্যের কারণে (diffusion গ্রেডিয়েন্ট) একে অপরের দিকে ব্যাপিত (diffuse) হয় -- ইলেকট্রন n থেকে p-তে এবং হোল p থেকে n-তে ব্যাপিত হয়ে পরস্পরের সাথে পুনর্মিলিত (recombine) হয়। এর ফলে জাংশনের দুই পাশে মুক্ত চার্জবাহকশূন্য একটি অঞ্চল তৈরি হয়, যাকে ডিপ্লেশন স্তর বলে। সুতরাং ডিপ্লেশন স্তর সৃষ্টির মূল কারণ হলো আধান বাহকের ব্যাপন (diffusion)।

এরকম আরও প্রশ্ন নিয়ে পরীক্ষা দাও

সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের প্রশ্ন দিয়ে নিজের এক্সাম বানাও — সময় ধরে, ফল সাথে সাথে।

এক্সাম বানাও →

সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের আরও প্রশ্ন

অর্ধপরিবাহীতে হোল (hole) কী?নিচের কোনটি p-টাইপ ডোপিংয়ে ব্যবহৃত হয়?একটি CE বিবর্ধক ভোল্টেজ গেইন 50, ইনপুট রোধ 100 Ω এবং আউটপুট রো…নিচের চিত্রে প্রদর্শিত আদর্শ p-n সংযোগ ডায়োডটির মধ্য দিয়ে তড…কোনো ট্রানজিস্টরে পীঠ হচ্ছে —একটি কমন এমিটার ট্রানজিস্টারের β =100 এবং I B = 50 μA হলে α কত…অর্ধপরিবাহীতে বন্ধন ভেঙে ইলেকট্রন মুক্ত হলে সেখানে কী থেকে যায…নিচের কোনটি সেমিকন্ডাক্টরের পরিবাহিতার জন্য দায়ী?

সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের সব প্রশ্ন →

বেশিরভাগ ফিচার একদম ফ্রি · প্রিমিয়াম শুধু বাড়তি প্রস্তুতির জন্য হোমপেজে ফিরি