চিত্রের Si ও Ge ডায়োড দুটি নীচে ভোল্টেজ যথাক্রমে 0.7 V এবং 0.3 V। 5.6 kΩ রোধের মধ্য দিয়ে কত তড়িৎ প্রবাহিত হবে?
- ক 0.47 mA
- খ 0.5 mA
- গ 1.96 mA
- ঘ 2.14 mA
সঠিক উত্তর
গ) 1.96 mA
ব্যাখ্যা
চিত্রের বর্তনীতে ব্যাটারির EMF = 12V (উদ্দীপকের চিত্র ও ১৭৮ নং প্রশ্নের অপশনের সাথে ক্রস-রেফারেন্স করে নির্ণীত), যেখানে Si ডায়োডের নী-ভোল্টেজ 0.7V এবং Ge ডায়োডের নী-ভোল্টেজ 0.3V, উভয় ডায়োড সিরিজে সম্মুখী বায়াসে সংযুক্ত এবং একটি 5.6 kΩ রোধ সিরিজে আছে। KVL প্রয়োগ করে: I = (EMF − VSi − VGe)R = (12 − 0.7 − 0.3)5.6kΩ = 115.6kΩ ≈ 1.964 mA ≈ 1.96 mA। এটি অপশন গ-এর সাথে হুবহু মেলে।
এরকম আরও প্রশ্ন নিয়ে পরীক্ষা দাও
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের প্রশ্ন দিয়ে নিজের এক্সাম বানাও — সময় ধরে, ফল সাথে সাথে।
সেমিকন্ডাক্টর ও ইলেকট্রনিক্স অধ্যায়ের আরও প্রশ্ন
হোল ও ইলেকট্রন তড়িৎ ক্ষেত্রে কোন দিকে চলে?কক্ষ তাপমাত্রায় বিশুদ্ধ সিলিকনে কতগুলো সমযোজী বন্ধন ভাঙে?p-টাইপ সেমিকন্ডাক্টর হচ্ছে —(i) অ্যালুমিনিয়াম ডোপায়িত সিলিকন…n-টাইপ অর্ধপরিবাহীতে দাতা পরমাণু ইলেকট্রন ছেড়ে দেওয়ার পর কী …নিচের কোনটি অর্ধপরিবাহী?নিচের কোন ডিভাইস এসিকে ডিসিতে রূপান্তর করে ?একটি p-n জাংশনের মধ্যে 400 mA তড়িৎ প্রবাহের পরিবর্তনের ফলে এর…ওপরের চিত্রের গেটটির আউটপুট কত?