⚠️[যাচাই দরকার] অর্ধপরিবাহীর ক্ষেত্রে প্রযোজ্য
(i) এদের রোধকত্ব প্রায় 10⁻⁴ Ωm
(ii) পরম শূন্য তাপমাত্রায় এরা অন্তরক হিসেবে কাজ করে
(iii) পরিবহন ও যোজন ব্যান্ডের মধ্যবর্তী দূরত্ব 1.1 eV-এর কম নিচের কোনটি সঠিক?

⚠️ এই প্রশ্নটা যাচাই দরকার -- কারণ: (iii) নং বক্তব্য "ব্যান্ড গ্যাপ 1.1eV-এর কম" -- সিলিকনের নিজের গ্যাপ ঠিক 1.1eV (কম নয়), তাই এই সাধারণীকরণ টেক্সটবুক-কনভেনশন নির্ভর; আর (i)-এর রোধকত্ব মান "10⁻⁴ Ωm"ও প্রকৃত Si/Ge মানের চেয়ে অনেক কম মনে হচ্ছে -- নির্দিষ্ট পাঠ্যবইয়ের সংজ্ঞা যাচাই করা দরকার। | সম্ভাব্য ব্যাখ্যা (নিশ্চিত না): অর্ধপরিবাহীর ক্ষেত্রে তিনটি বিবৃতিই সাধারণভাবে প্রযোজ্য: (i) এদের রোধকত্ব প্রায় 10⁻⁴ Ωm (পরিবাহীর তুলনায় অনেক বেশি, অন্তরকের তুলনায় অনেক কম -- সাধারণ পরিসর 10⁻⁴ থেকে 10⁴ Ωm এর মধ্যে); (ii) পরম শূন্য তাপমাত্রায় অর্ধপরিবাহীতে কোনো মুক্ত চার্জবাহক থাকে না বলে এটি অন্তরকের মতো আচরণ করে; (iii) সাধারণভাবে অর্ধপরিবাহীর পরিবহন ও যোজন ব্যান্ডের মধ্যবর্তী ব্যবধান (band gap) প্রায় 1.1 eV বা তার কাছাকাছি/কম (যেমন Ge-এর জন্য 0.7 eV, Si-এর জন্য 1.1 eV) -- অন্তরকের (৬-১৫ eV) তুলনায় অনেক কম। তাই i, ii ও iii সবগুলোই সঠিক। সঠিক উত্তর ঘ।